Отраслевая лаборатория радиационных воздействий

Дата создания лаборатории — 1963г.

Количество сотрудников — 13:

  • докторов наук — 1
  • кандидатов наук — 3

Основные направления НИОКР:

  • Экспериментальные и теоретические исследования в области радиационной физики полупроводников (кремнии, германии, твердых растворах кремний-германий и др.);
  • Исследования изменений электрофизических характеристик полупроводниковых структур с р-n-переходами и структур металл-диэлектрик-полупроводник при воздействии различных видов ионизирующих излучений (гамма-, электронного и др.);
  • Разработка физических основ и методов использования проникающих излучений в технологии изготовления полупроводниковых приборов с улучшенными характеристиками;
  • Разработка методов прогнозирования и повышения радиационной стойкости дискретных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем;
  • Определение эффективности защиты изделий электронной техники радиационными экранами на ускорителях электронов;
  • Моделирование взаимодействия ионизирующих излучений с веществом;
  • Расчет в программном комплексе Geant4 дозовых нагрузок на электронную компонентную базу космических аппаратов на заданных орбитах при воздействии потоков электронов и протонов естественных радиационных поясов Земли;
  • Радиационная обработка на ускорителях электронов материалов и изделий;
  • Динамика решетки и фазовые превращения в сегнетоэлектриках и диэлектрках с модулированными структурами
  • Новые не содержащие свинца оксидные сегнетоэлектрические материалы и исследование влияния примесей, электронного и гамма-облучения на физические свойства сегнетоэлектрических материалов

Основные результаты лаборатории:

  • Якушевич, А.С. Локальная радиационная защита электронной компонентной базы космических аппаратов / А.С. Якушевич, Ю.В. Богатырев, С.С. Грабчиков, С.Б. Ластовский, Н.А. Василенков, А.Е. Козюков, Г.А. Протопопов // Электроника НТБ. – 2021. — № 1 (00202) – С.166-170.
  • Aharodnikau, D.A. The role of Si self-interstitial atoms in the formation of electrically active defects in reverse-biased silicon n+-p diodes upon irradiation with alpha particles / D.A. Aharodnikau, S.B. Lastovskii, S.V. Shpakovski, V.P. Markevich, M.P. Halsall, A.R. Peaker / Physica Status Solidi A. – 2021. – 2100104 (1 of 7).
  • Огородников, Д.А. Влияние облучения альфа-частицами на обратные вольтамперные характеристики кремниевых фотоумножителей / Огородников Д.А., Богатырев Ю.В., Ластовский С.Б., Кетько А.В., Лемешевская А.М., Цымбал В.С., Шпаковский С.В. Рубанов П.В., Луконин С.Е. // Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2021. № 3, С. 28-32.
  • Abdul Fattah Tarek O. Interactions of Hydrogen Atoms with Acceptor–Dioxygen Complexes in Czochralski-Grown Silicon / Vladimir P. Markevich, Joyce Ann T. De Guzman, José Coutinho, Stanislau B. Lastovskii, Ian D. Hawkins, Iain F. Crowe, Matthew P. Halsall, and Anthony R. Peaker // Physica Status Solidi A: 2022, 219 – 2200176 (11).
  • Guzman, J.A.T. Acceptor-oxygen defects in silicon: the electronic properties of centers formed by boron, gallium, indium, and aluminum interactions with the oxygen dimer / Joyce Ann T. de Guzman, Vladimir P. Markevich, Ian D. Hawkins, José Coutinho, Hussein M. Ayedh, Jeff Binns, Nikolay V. Abrosimov, Stanislau B. Lastovskii, Iain F. Crowe, Matthew P. Halsall, and Anthony R. Peaker // Journal of Applied Physics, 2021, 130 – 245703 (9).
  • Ю.В. Богатырев, С.Б. Ластовский, Д.А. Огородников, А.В. Кетько, А.Н. Лимонтов, С.А. Пиловец. Влияние ионизирующего излучения на параметры микросхемы аналогового датчика температуры // Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2020. Вып. 2. С. 33-37.
  • Daria I. Tishkevich, Sergey S. Grabchikov, Stanislav B. Lastovski, Dzmitry V. Yakimchuk, Denis A. Vinnik, Alia I. Vorobjova, Tatiana I. Zubar, Alex V. Trukhanov. Functional Bi Coatings as A Perspective Material for Radiation Shields Production against Electron Radiation // Adv. Mater. Lett. 2020,11(2), 20021479. P. 1-5.
  • Talkachova E. A., Murin L. I., Medvedeva I. F., Korshunov F. P. and Markevich V. P. Formation of Oxygen-Containing Centers in Irradiated Silicon Crystals during Annealing in the Temperature Range of 450–700°С // Inorganic Materials: Applied Research, 2020, Vol. 11, No. 5, pp. 1078–1082.
  • Ю.В. Богатырев, С.Б. Ластовский, Д.А. Огородников, В.А. Солодуха, А.В. Кетько, С.В. Шведов, П.И. Парневич, А.Н. Лимонтов, П.Г. Машканцев, В.А. Козловский, Е.Г. Лозицкий. Радиационное воздействие на параметры микросхем двойных драйверов и программируемой памяти // Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2019. Вып. 4.
  • Vaqueiro-Contreras M., Markevich V.P., Coutinho J., Santos P., Crowe I.F., Halsall M.P., Hawkins I., Lastovskii S.B., Murin L.I., Peaker A.R Identification of the mechanism responsible for the boron oxygen light induced degradation in silicon photovoltaic cells. // J. Appl. Phys. – 2019. — Vol. 125, No. 18. – P. 185704 (1-16).

Сотрудники лаборатории

ФИОУченая должностьНомер телефонаe-mail
Римский Г.С.Зав. лабораторией(375)(17)378-12-38g.rymski@physics.by
Ластовский С.Б.Гл. науч. сотрудник(375) (17) 378-12-89lastov@physics.by
Радюш Ю.В.Гл. науч. сотрудник(375)(17)378-15-50radyush@physics.by
Богатырев Ю.В.Гл. науч. сотрудник(375) (17) 378-12-89bogat@physics.by
Гуртовой В.ГНауч. сотрудник(375) (17) 379-11-88hurtavy@physics.by
Жданович Н.Е.Науч. сотрудник(375) (17) 379-12-56jdan@physics.by
Жданович Д.Н.Мл. науч. сотрудник(375) (17) 379-12-56zhdanovich_d@physics.by
Огородников Д.А.Мл. науч. сотрудник(375) (17) 373-12-57ogorodnikov@physics.by
Точилин В.К.Вед.инж.эл-к(375) (17) 317 14 44tochilin@physics.by
Бурый Е.Д.Мл. науч.сотрудник
Радюш В.Ю.Мл. науч. сотрудник
Якушевич А.С.Науч. сотрудник(375) (17) 367-00-36yakushevich@physics.by
Яковчук А.В.Мл. науч.сотрудник

Руководитель лаборатории
Римский Григорий Семёнович
Кандидат физ.-мат. наук
Дата назначения на должность – 2024г.