Отраслевая лаборатория радиационных воздействий

Дата создания лаборатории — 1963г.
На базе лаборатории радиационных воздействий
в 2019 г создана Отраслевая лаборатория радиационных воздействий

Количество сотрудников — 13:

• докторов наук — 1
• кандидатов наук — 3

Основные направления НИОКР:

• Экспериментальные и теоретические исследования в области радиационной физики полупроводников (кремнии, германии, твердых растворах кремний-германий и др.);
• Исследования изменений электрофизических характеристик полупроводниковых структур с р-n-переходами и структур металл-диэлектрик-полупроводник при воздействии различных видов ионизирующих излучений (гамма-, электронного и др.);
• Разработка физических основ и методов использования проникающих излучений в технологии изготовления полупроводниковых приборов с улучшенными характеристиками;
• Разработка методов прогнозирования и повышения радиационной стойкости дискретных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем;
• Определение эффективности защиты изделий электронной техники радиационными экранами на ускорителях электронов;
• Моделирование взаимодействия ионизирующих излучений с веществом;
• Расчет в программном комплексе Geant4 дозовых нагрузок на электронную компонентную базу космических аппаратов на заданных орбитах при воздействии потоков электронов и протонов естественных радиационных поясов Земли;
• Радиационная обработка на ускорителях электронов материалов и изделий;
• Динамика решетки и фазовые превращения в сегнетоэлектриках и диэлектриках с модулированными структурами
• Новые не содержащие свинца оксидные сегнетоэлектрические материалы и исследование влияния примесей, электронного и гамма-облучения на физические свойства сегнетоэлектрических материалов

Основные результаты лаборатории:

• Crystal structure, magnetic and electrical transport properties of titanium-doped half-Heusler alloys Ni1-xTixMnSb / Rutkauskas A.V., Kichanov S.E., Vershinina T.N., Rymski G.S., Dang N.T., Hoang T.P., Tran T.A., Phan N.-L., Tien D.P.T., Thinh P.D., Khan D.T. // Modern Physics Letters B. – 2024. – Art. ID 2450361.
• Composition-adjustable silicon-germanium alloy films based on porous silicon matrices / N. Grevtsov, E. Chubenko, V. Bondarenko, I. Gavrilin, A. Dronov, S. Gavrilov, G. Rymski, K. Yanushkevich, D. Goroshko, E. Argunov // Materialstoday Communications. – 2024. – Vol. 38.– Art. ID 107886.
• Mössbauer and XAFS studies of the effect of compositional disorder on the local structure of Pb2FeSbO6 / V.A. Shuvaeva, S.P. Kubrin, I.P. Raevski, Y.V. Zubavichus, V.G. Vlasenko, I.G. Sheptun, A.V. Pushkarev, N.M. Olekhnovich, S.I. Raevskaya, Yu.V. Radyush // Physica B: Condensed Matter. –2024. –Vol. 678. –P. 415726(1-6).
• Mӧssbauer and dielectric studies of Bi0.6Nd0.4Fe0.5M0.5O3 (M – Mn, Cr) solid solution ceramics fabricated by a high-pressure synthesis / I.P. Raevski, S.P. Kubrin, A.V. Pushkarev, N.M. Olekhnovich, Yu.V. Radyush, S.I. Raevskaya, V.V. Titov, M.A. Malitskaya, P.A. Shishkina, S.I. Kolosov // Ferroelectrics. –2024. –Vol.618, Issue 6. –P. 1446-1453.
• Твердые растворы Bi0.65Ba0.35-zSrzFe0.65Ti0.35O3 с 0 ≤ z ≤ 0.35: состав, структура, свойства / М.В. Силибин, В.Д. Живулько, Ю.В. Радюш, С.И. Латушко, Д.В. Желудкевич, В.Н. Шут, А.А. Кузнецов, А.С.Соколова, Д.В. Карпинский // ВЕСТНИК Витебского государственного технологического университета. –2024. №1(47). –С.71-81.
• Влияние гамма-облучения на обратные вольт-амперные характеристики кремниевых фотоумножителей / Д. А. Огородников, С.Б. Ластовский, Ю.В. Богатырев [и др.] // Вес. Нац. акад. навук Беларусі. Сер. фіз.-мат. навук. – 2024. – Т. 60, № 3. – С. 252–262.
• ИК-Фурье-спектроскопия нарушенного полного внутреннего отражения пленок полиимида на пластинах монокристаллического кремния / В.С. Просолович, Д.И. Бринкевич, Е.В. Гринюк, С.Д. Бринкевич, В.В. Колос, О.А. Зубова, С.Б. Ластовский // Журнал прикладной спектроскопии. – 2024. – Т. 91, № 2. – С. 221-226.
• Bismuth-related defects in n-type silicon irradiated with protons: a comparison to similar defects formed under electron irradiation / V. Emtsev, N. Abrosimov, V.Kozlovski, S. Lastovskii, G. Oganesyan, D.Poloskin // Journal of Applied Physics. – 2024. – V. 136. – 105108(7).
• Adhesion of Electron-Irradiated Diazoquinone–Novolac Photoresist Films to Single-Crystal Silicon / S.A. Vabishchevich, N.V. Vabishchevich, S.D. Brinkevich, D.I. Brinkevich, V.S. Prosolovich, S.В. Lastovskii // High Energy Chemistry. – 2024. – V. 58, № 1. – P. 112-119.
• Fourier-IR spectroscopy of photoresist/silicon structures for explosive lithography / D.I. Brinkevich, E.V. Grinyuk, S.D. Brinkevich, V.S. Prosolovich, V.V. Kolos, O.A. Zubova, S.B. Lastovskii // Journal of Applied Spectroscopy. – 2024 – V. 90, No. 6, – P.1223-1228.

Сотрудники лаборатории