Лаборатория оптической спектроскопии полупроводников

Дата создания лаборатории – 2018г.

Количество сотрудников — 6:

• кандидатов наук — 3.

Основные направления НИОКР:

• Определение фундаментальных оптических параметров полупроводников и диэлектриков (CuInSe2, Cu(In,Ga)Se2, Cu2ZnSnSe4, InN, InGaN, Si, Si/Ge, ZnO, CaF2/Si/CaF2/Si, CsPbI3, CsPbBr3, CH3NH3PbI3, CH3NH3PbBr3 и др.)
• Определение природы дефектов и структурного совершенства полупроводников методами оптической спектроскопии (монокристаллы, тонкие пленки), используемых для изготовления солнечных элементов и приборов оптоэлектроники
• Разработка и совершенствование оптических методов диагностики полупроводников и диэлектриков
• Разработка физико-технологических основ создания солнечных элементов на основе многокомпонентных полупроводников со структурой халькопирита и кестерита
• Разработка физико-технологических основ создания светоизлучающих элементов для инфракрасной области спектра на наноструктурах Ge/Si с квантовыми точками (кольцами) Ge, в том числе, с наночастицами металлов (Au, Ag и др.), обеспечивающих экситон — плазмонное взаимодействие и повышение квантового выхода излучения

Основные результаты лаборатории:

• Влияние интенсивности возбуждения и температуры на фотолюминесценцию тонких пленок соединения Cu₂ZnSnSe₄ //В.Д. Живулько, А.В. Мудрый, Е. В. Луценко, В. Н. Павловский, Г. П. Яблонский, I. Forbes, М.В. Якушев // ФТТ. – 2024. – T.66, Вып. 10. – С. 1699–1707.
• Температурная зависимость спектров оптического отражения монокристаллов CuInSe₂ со структурой халькопирита / Бородавченко О. М., Живулько В. Д., Мялик И. Д., Мудрый А. В., Якушев М. В. // Журнал прикладной спектроскопии. – 2024. – Т. 91, № 3. – С. 409–416.
• Irradiation of Cu(In, Ga)Se₂ Thin Films by 10 MeV Electrons at 77 K: Effect on Photoluminescence Spectra / M.A. Sulimov, M.N. Sarychev, I.A. Mogilnikov, V.Yu. Ivanov, V.A. Volkov, V.D. Zhivulko, A.V. Mudryi, M.V. Yakushev // Semiconductors. – 2022. – Vol. 56, No. 6. P. 535 – 540.
• Si-based light emitters synthesized with Ge+ ion bombardment / V.A.Zinovyev, A.F.Zinovyeva, Zh.V.Smagina, A.V.Dvurechenskii, V.I.Vdovin, A.K.Gutakovskii, L.I.Fedina, О.М.Borodavchenko, V.D.Zhivulko, A.V.Mudryi // J. Appl. Phys. – 2021. – Vol. 130. – P. 153101-1–153101-8.
• Stimulated emission of thin Cu(In, Ga)Se₂ films irradiated by protons / I.E. Svitsiankou, V.N. Pavlovskii, Е.V. Lutsenko, G.P. Yablonskii, А.V. Мudryi, О.М. Borodavchenko, V.D. Zhivulko, М. V. Yakushev // Journal of Applied Spectroscopy. – 2021. – Vol.87, № 6. – P.1037–1042.
• Photoluminescence of compact GeSi quantum dot groups with increased probability of finding an electron in Ge / A.F.Zinovieva, V.A.Zinovyev, A.V.Nenashev, S.A.Teys, A.V.Dvurechenskii, O.M.Borodavchenko, V.D.Zhivulko, A.V.Mudryi // Scientific Reports. – 2020. – Vol. 10, № 1. – P.9308-1–9308-9.
• Influence of the copper content on the optical spectra of CZTSe thin films / M.V.Yakushev, M.A.Sulimov, J.Marquez-Prieto, I.Forbes, J.Krustok, P.R.Edwards, V.D.Zhivulko, O.M.Borodavchenko, A.V.Mudryi, R.W.Martin // Solar Energy Materials and Solar Cells. – 2017. – Vol. 168. – P. 69–77.
• Strain-induced improvement of photoluminescence from the groups of laterally ordered SiGe quantum dots / V.A.Zinovyev, A.F.Zinovieva, P.A.Kuchinskaya, Zh.V.Smagina, V.A.Armbrister, A.V.Dvurechenskii, O.M.Borodavchenko, V.D.Zhivulko, A.V.Mudryi // Appl. Phys. Lett. – 2017. – Vol. 110. – P. 102101-1–102101-4.
• Photoluminescence from Ordered Ge/Si Quantum Dot Groups Grown on the Stain-Patterned Substrates / A.Dvurechenskii, A.Zinovieva, V.Zinovyev, A.Nenashev, Zh.Smagina, S.Teys, A.Shklyaev, S.Erenburg, S.Trubina, O.Borodavchenko, V.Zhivulko, A.Mudryi // Phys. Status Solidi C. – 2017. – Vol. 14, № 12. – P. 1700187-1–1700187-6.
• Патент на изобретение № 26312237 Российская Федерация. Способ контроля структурного качества тонких пленок для светопоглощающих слоев солнечных элементов и устройств для его реализации / В.Н. Павловский, И.Е. Свитенков, Е.В. Луценко, Г.П. Яблонский, А.В. Мудрый, В.Д. Живулько, О.Н. Бородавченко, М.В. Якушев
• Патент на изобретение № 21744 Способ отбора тонких плёнок для светопоглощающих слоёв солнечных элементов по их структурному качеству / В.Н. Павловский, И.Е. Свитенков, Е.В. Луценко, Г.П. Яблонский, А.В. Мудрый, В.Д. Живулько, О.Н. Бородавченко, М.В. Якушев

Сотрудники лаборатории