Лаборатория оптической спектроскопии полупроводников

Дата создания лаборатории – 2018

Количество сотрудников - 5:

  • кандидатов наук - 3.

Основные направления НИОКР:

  • Определение фундаментальных оптических параметров полупроводников и диэлектриков (CuInSe2, Cu(In,Ga)Se2, Cu2ZnSnSe4, InN, InGaN, Si, Si/Ge, ZnO, CaF2/Si/CaF2/Si, CsPbI3, CsPbBr3, CH3NH3PbI3, CH3NH3PbBr3 и др.)
  • Определение природы дефектов и структурного совершенства полупроводников методами оптической спектроскопии (монокристаллы, тонкие пленки), используемых для изготовления солнечных элементов и приборов оптоэлектроники
  • Разработка и совершенствование оптических методов диагностики полупроводников и диэлектриков
  • Разработка физико-технологических основ создания солнечных элементов на основе многокомпонентных полупроводников со структурой халькопирита и кестерита
  • Разработка физико-технологических основ создания светоизлучающих элементов для инфракрасной области спектра на наноструктурах Ge/Si с квантовыми точками (кольцами) Ge, в том числе, с наночастицами металлов (Au, Ag и др.), обеспечивающих экситон - плазмонное взаимодействие и повышение квантового выхода излучения

Основные результаты лаборатории:

  • Influence of the copper content on the optical spectra of CZTSe thin films / M.V. Yakushev, M.A. Sulimov, J. Marquez-Prieto, I. Forbes, J. Krustok, P.R. Edwards, V.D. Zhivulko, O.M. Borodavchenko, A.V. Mudryi, R.W. Martin // Solar Energy Materials and Solar Cells. – 2017. – Vol. 168. – P. 69–77
  • Impact of the selenisation temperature on the structural and optical properties of CZTSe absorbers / J. Marquez-Prieto, M.V. Yakushev, I. Forbes, P.R. Edwards, V.D. Zhivulko, O.M. Borodavchenko, A.V. Mudryi, M. Dimirtievska, V. Izquerdo-Roca, N.M. Pearsall, R.W. Martin // Solar Energy Materials & Solar Cells. – 2016. – Vol. 152. – P. 42-50
  • Strain-induced improvement of photoluminescence from the groups of laterally ordered SiGe quantum dots / V.A. Zinovyev, A.F. Zinovieva, P.A. Kuchinskaya, Zh.V. Smagina, V.A. Armbrister, A.V. Dvurechenskii, O.M. Borodavchenko, V.D. Zhivulko, A.V. Mudryi // Appl. Phys. Lett. – 2017. – Vol. 110. – P. 102101-1–102101-4
  • Radiative recombination in Cu2ZnSnSe4 thin film with strong Cu deficiency and Zn excess / M.V. Yakushev, J. Marquez-Prieto, I. Forbes, P.R. Edwards, V.D. Zhivulko, A.V. Mudryi, J. Krustok, R.W. Martin // J. Phys.D: Appl. Phys. – 2015. – Vol. 47. – P. 475109 (1-7).
  • Photoluminescence of compact GeSi quantum dot groups with increased probability of finding an electron in Ge / A.F. Zinovieva, V.A. Zinovyev, A.V. Nenashev, S.A. Teys, A.V. Dvurechenskii, O.M. Borodavchenko, V.D. Zhivulko, A.V. Mudryi // Scientific Reports. – 2020. – Vol. 10, № 1. – P.9308-1–9308-9
  • Photoluminescence from Ordered Ge/Si Quantum Dot Groups Grown on the Stain-Patterned Substrates / A. Dvurechenskii, A. Zinovieva, V. Zinovyev, A. Nenashev, Zh. Smagina, S. Teys, A. Shklyaev, S. Erenburg, S. Trubina, O. Borodavchenko, V. Zhivulko, A. Mudryi // Phys. Status Solidi C. – 2017. – Vol. 14, № 12. – P. 1700187-1–1700187-6
  • Strain-induced improvement of photoluminescence from the groups of laterally ordered SiGe quantum dots / V.A. Zinovyev, A.F. Zinovieva, P.A. Kuchinskaya, Zh.V. Smagina, V.A. Armbrister, A.V. Dvurechenskii, O.M. Borodavchenko, V.D. Zhivulko, A.V. Mudryi // Appl. Phys. Lett. – 2017. – Vol. 110. – P. 102101-1–102101-4
  • V.A. Zinovyev, A.F. Zinovyeva, Zh.V. Smagina, A.V. Dvurechenskii, V.I. Vdovin, A.K. Gutakovskii, L.I. Fedina, О.М. Borodavchenko, V.D. Zhivulko, A.V. Mudryi / Si-based light emitters synthesized with Ge+ ion bombardment // J. Appl. Phys. – 2021. – Vol. 130. – P. 153101-1–153101-8
  • Патент на изобретение № 26312237 Российская Федерация. Способ контроля структурного качества тонких пленок для светопоглощающих слоев солнечных элементов и устройств для его реализации / В.Н. Павловский, И.Е. Свитенков, Е.В. Луценко, Г.П. Яблонский, А.В. Мудрый, В.Д. Живулько, О.Н. Бородавченко, М.В. Якушев
  • Патент на изобретение № 21744 Способ отбора тонких плёнок для светопоглощающих слоёв солнечных элементов по их структурному качеству / В.Н. Павловский, И.Е. Свитенков, Е.В. Луценко, Г.П. Яблонский, А.В. Мудрый, В.Д. Живулько, О.Н. Бородавченко, М.В. Якушев

Сотрудники лаборатории

ФИО Ученая должность Номер телефона e-mail
Живулько В.Д. Зав. лабораторией (375) (17) 367-00-32 zhivulko@physics.by
Бородавченко О.М. Научный сотрудник (375) (17) 351-61-33 borodavchenko@physics.by
Мялик И.В. Мл.науч. сотрудник
Мудрый А.В. Главный научный сотрудник (375) (17) 357-52-29 mudryi@physics.by
Шакина Н.В. Техник 1 категории (375) (17) 351-61-33 shakina@physics.by

Руководитель лаборатории
Живулько Вадим Дмитриевич,
кандидат физ.-мат. наук, доцент
Дата назначения на должность-2021 г.